型号 FDD4685-VB
丝印 VBE2412
品牌 VBsemi
参数
类型 P沟道
额定电压（Vds） -40V
最大持续电流（Id） -65A
导通电阻（RDS(ON)） 10mΩ @ 10V
门源电压范围（Vgs） 20V（正负）
阈值电压（Vth） -1.6V
封装 TO252
应用简介
FDD4685-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有高电流承受能力和低导通电阻。它适用于需要高电流开关的领域，如电源开关、电机控制和电池保护。
详细参数说明
1. 类型 这是一款P沟道MOSFET，意味着它在输入负向电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于需要负向电压操作的电路中。
2. 额定电压（Vds） 它可以承受的最大漏极-源极电压为-40V。这表示它可以在负向电压条件下工作。
3. 最大持续电流（Id） 这款MOSFET的最大电流承受能力为-65A。负号表示电流流向是从源到漏极，这使其能够处理高电流负载。
4. 导通电阻（RDS(ON)） RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为10mΩ，表示在导通状态下的功耗非常低。
5. 门源电压范围（Vgs） MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。
6. 阈值电压（Vth） 这款MOSFET的阈值电压为-1.6V。这是启动MOSFET导通的门源电压。
7. 封装 这款MOSFET采用TO252封装，这是一种常见的功率封装类型，适用于高功率电子应用。
应用领域
FDD4685-VB这款MOSFET适用于多种需要高电流开关的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块
1. 电源开关 可用于高电流电源开关，如电压转换和电源稳定。
2. 电机控制 在电机控制器中用于控制电机的速度和方向，特别是用于工业电机。
3. 电池保护 可用于电池保护电路，以确保电池不过充电或过放电，同时处理高电流。
4. 高电流负载开关 用于高电流负载的通断控制，如电动工具、电焊机和电动车辆。
5. 电源管理 在需要高电流开关和电流控制的电源管理电路中使用，如工业控制系统。
总之，这款P沟道MOSFET适用于需要高电流开关的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能，特别是在高电流和高功率应用中。
