--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大承受电压 -30V
- 最大工作电流 -11A
- 开阻抗 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V
- 门源漏电压 20Vgs(±V)
- 阈值电压 -1.42Vth(V)
- 封装 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 AP4407GM-VB
丝印 VBA2311
品牌 VBsemi
参数说明
1. P沟道
2. 最大承受电压 -30V
3. 最大工作电流 -11A
4. 开阻抗 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V
5. 门源漏电压 20Vgs(±V)
6. 阈值电压 -1.42Vth(V)
7. 封装 SOP8
应用简介
AP4407GM-VB是一款适用于P沟道的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备的功率开关和驱动控制电路中。其优异的特性使其可在低电压和大电流的环境下稳定工作,并能提供低导通电阻。
产品应用领域
AP4407GM-VB常被应用在以下领域的模块上
1. 电源模块 用于电源开关控制和功率变换。
2. 车载电子 用于车辆电子系统的功率开关和电机控制。
3. 工业自动化 用于工控设备和传感器的驱动控制。
4. 照明领域 用于LED照明驱动器和照明系统的控制。
5. 通信模块 用于通信设备的电源开关和功率控制。
总之,AP4407GM-VB是一款高性能的P沟道功率MOSFET,适用于多种领域的电子设备模块中,常用于功率开关和驱动控制电路。
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