--- 产品参数 ---
- 沟道 P
- 封装 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
AO4421(VBA2658)是VBsemi一种P沟道MOS型晶体管,封装为SOP8。它的产品参数包括:最大耐压为-60V,最大漏极电流为-6A,漏源电阻RDS(ON)为50mΩ(在10V时)和61mΩ(在4.5V时),最大栅极源极电压为±20V,阈值电压为-1.5V。
该晶体管主要应用在以下方面:
电源管理:可用于电源开关、电池充放电管理等。
电机驱动:可用于电机控制、马达驱动等。
逆变器:可用于逆变器控制、变频器等。
开关电源:可用于开关电源控制、DC-DC转换器等。
电流控制:可用于电流限制、电流检测等。
总之,AO4421(VBA2658)适用于需要高耐压、低漏源电阻和高电流的应用领域,如电源管理、电机驱动、逆变器、开关电源和电流控制等。
为你推荐
-
AP2764AI-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:18
产品型号:AP2764AI-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2764AI-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:17
产品型号:AP2764AI-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2764AI-A-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:16
产品型号:AP2764AI-A-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2763W-A-VB一款Single-N沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:15
产品型号:AP2763W-A-VB 封装:TO3P 沟道:Single-N -
AP2762I-H-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:13
产品型号:AP2762I-H-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2762I-A-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:12
产品型号:AP2762I-A-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2761I-H-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:10
产品型号:AP2761I-H-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2761I-H-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:09
产品型号:AP2761I-H-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2761I-A-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:08
产品型号:AP2761I-A-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2761F-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:07
产品型号:AP2761F-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N