--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
2SJ327-Z-E1-AZ (VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。
应用简介:2SJ327-Z-E1-AZ是一款适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。
由于其能够处理较大的电流和电压,常用于电源管理、电机控制和逆变器等领域模块。
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