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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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TC1504N 1W高线性高效率GaAs功率场效应 晶体管

放大器 晶体管
型号： TC1504N

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric
  • 型号 TC1504N
  • 名称 砷化镓HEMT
  • 产地 日本
  • 封装 Chip

--- 产品详情 ---

TC1504N

型号简介
TC1504N是一种具有高线性的GaAs伪晶高电子迁移率晶体管（PHEMT）以及高功率附加效率。该器件是在没有通孔的情况下处理的，用于单偏压应用。这个短的栅极长度使该器件能够在高达20GHz的电路中使用。所有设备都经过100%直流测试，以确保始终如一的质量。焊盘是镀金的，用于热压或热声引线接合。背面镀金与标准AuSn管芯连接兼容。典型应用包括商业高性能功率放大器。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric
型号                    TC1504N
名称                    砷化镓HEMT
产地                    日本
封装                    Chip
 

型号参数
12 GHz典型功率的1W照片放大
线性功率增益：GL=9 dB，典型频率为12 GHz
高线性度：IP3=40 dBm，典型频率为12 GHz
用于单偏压应用的非通孔源
适用于高可靠性应用
击穿电压：BVDGO³13.5 V
Lg=0.25 mm，Wg=2.4 mm
高功率附加效率：12 GHz时标称PAE为43%
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试


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