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TC2181 低噪声高动态范围 GaAs FET

FET GaAs 晶体管
型号： TC2181

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo
  • 型号 TC2181
  • 名称 砷化镓HEMT
  • 产地 日本
  • 封装 Ceramic micro-X

--- 产品详情 ---

TC2181

型号简介
Sumitomo的TC2181是一种高性能场效应晶体管，封装在带有TC1101的陶瓷micro-x封装中PHEMT芯片。TC2181组装工艺确实通过了气密总密封测试。它可以用于频率高达24GHz或更高的应用程序。它具有非常低的噪声系数、高的相关增益和高动态范围，使该设备适用于低噪声放大器。所有设备均经过100%直流测试以确保一致的质量。


型号规格  
厂家                    Sumitomo 
型号                    TC2181
名称                    砷化镓HEMT
产地                    日本
封装                    Ceramic micro-X
 

型号参数
0.5 dB 12 GHz时的典型噪声系数
高相关增益：Ga=12 dB，典型频率为12 GHz
118.5 dBm 12 GHz时的典型功率
112 GHz时的13 dB典型线性功率增益
击穿电压：BVDGO≥9V
LLg=0.25µm，Wg=160µm
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
1100%直流测试
适用于频率高达24GHz或更高
MMicro-X金属陶瓷封装，通过气密总密封测试


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