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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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TC1202P0912 超低噪声GaAs FET

FET GaAs
型号： TC1202P0912

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo
  • 型号 TC1202P0912
  • 名称 砷化镓HEMT
  • 产地 日本
  • 封装 Chip

--- 产品详情 ---

TC1202P0912 

型号简介
Sumitomo的TC1202是GaAs伪晶高电子迁移率晶体管（PHEMT）芯片，其具有非常低的噪声系数和高的相关增益。该设备可用于高达30 GHz的电路，适用于低噪声应用。所有设备都经过100%直流测试确保始终如一的质量。所有焊盘均镀金，用于热压或热声波导线粘合。


型号规格  
厂家                    Sumitomo 
型号                    TC1202P0912
名称                    砷化镓HEMT
产地                    日本
封装                    Chip
 

型号参数
低噪声系数：NF=0.5 dB 12 GHz时的典型值
高相关增益：Ga=12 dB，典型频率为12 GHz
Lg=0.25µm，Wg=300µm
全金金属化，实现高可靠性
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试


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