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TC1201P0912 低噪声和中等功率GaAs FET

FET GaAs 晶体管
型号： TC1201P0912

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo
  • 型号 TC1201P0912
  • 名称 砷化镓HEMT
  • 产地 日本
  • 封装 Chip

--- 产品详情 ---

TC1201P0912

型号简介
Sumitomo的TC1201是GaAs伪晶高电子迁移率晶体管（PHEMT）芯片，其具有非常低的噪声系数、高相关增益和高动态范围。该设备可用于高达30 GHz的电路，以及适用于低噪声和中等功率放大器应用。所有设备都经过100%直流测试，以确保质量一致。所有焊盘均镀金
用于热压或热声引线接合。


型号规格  
厂家                    Sumitomo 
型号                    TC1201P0912
名称                    砷化镓HEMT
产地                    日本
封装                    Chip
 

型号参数
低噪声系数：NF=0.5 dB 12 GHz时的典型值
高相关增益：Ga=12 dB，典型频率为12 GHz
高动态范围：1 dB压缩功率P-1=21.5 dBm，12 GHz
击穿电压：BVDGO≥9 V
Lg=0.25µm，Wg=300µm
全金金属化，实现高可靠性
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试

 

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