TC1201 低噪声和中等功率GaAs FET

FET GaAs 晶体管

型号： TC1201

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo
型号 TC1201
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Chip

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的TC1201是GaAs伪晶高电子迁移率晶体管（PHEMT）芯片，其具有非常低的噪声系数、高相关增益和高动态范围。该设备可用于高达30 GHz的电路，以及适用于低噪声和中等功率放大器应用。所有设备都经过100%直流测试，以确保质量一致。所有焊盘均镀金用于热压或热声引线接合。

型号规格
厂家 Sumitomo
型号 TC1201
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Chip

型号参数
低噪声系数：NF=0.5 dB 12 GHz时的典型值
高相关增益：Ga=12 dB，典型频率为12 GHz
高动态范围：1 dB压缩功率P-1=21.5 dBm，12 GHz
击穿电压：BVDGO≥9 V
Lg=0.25µm，Wg=300µm
全金金属化，实现高可靠性
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试

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