--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo
- 型号 TC1202
- 名称 砷化镓HEMT
- 产地 日本
- 封装 Chip
--- 产品详情 ---
型号简介
Sumitomo的TC1202是GaAs伪晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)芯片,其具有非常低的噪声系数和高的相关增益。该设备可用于高达30 GHz的电路,适用于低噪声应用。所有设备都经过100%直流测试确保始终如一的质量。所有焊盘均镀金,用于热压或热声波导线粘合。
型号规格
厂家 Sumitomo
型号 TC1202
名称 砷化镓HEMT
产地 日本
封装 Chip
型号参数
低噪声系数:NF=0.5 dB 12 GHz时的典型值
高相关增益:Ga=12 dB,典型频率为12 GHz
Lg=0.25µm,Wg=300µm
全金金属化,实现高可靠性
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试
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