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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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FHX35X 是一款超高电子迁移率 晶体管

GaAs HEMT 晶体管
型号： FHX35X

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 FHX35X
  • 名称 砷化镓HEMT
  • 产地 日本
  • 封装 Chip

--- 产品详情 ---

FHX35X 

型号简介
Sumitomo的FHX35X是一种高电子迁移率晶体管（HEMT）用于一般用途，在2到18GHz频率范围。此设备非常适合电信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪声应用程序。

 

型号规格  
厂家                   Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    FHX35X
名称                    砷化镓HEMT
产地                    日本
封装                    Chip
 

型号参数
低噪声系数：1.2dB（典型值）@f=12GHz
高相关增益：10.0dB（典型值）@f=12GHz
Lg≤0.25um，Wg=280um
实现高可靠性的金门金属化


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