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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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SGNL015Z2K-R DC–3.8GHz高功率GaN HEMTT

GaN 晶体管
型号： SGNL015Z2K-R

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 SGNL015Z2K-R
  • 名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 DFN

--- 产品详情 ---

SGNL015Z2K-R 

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGNL015Z2K-R提供高功率，高效、易于匹配和DC更大的一致性3.8GHz雷达应用，50V操作。SGNL015Z2K-R为适用于宽带应用。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    SGNL015Z2K-R
名称                    GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地                    日本
封装                    DFN
 

型号参数
用于直流至3.8GHz的高功率GaN HEMT
高功率：17W@3.8GHz
高效率：56%@3.8GHz
DFN塑料包装


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