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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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F658-E030MK 高压-大功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶体管
型号： F658-E030MK

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 F658-E030MK
  • 名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 DFN

--- 产品详情 ---

F658-E030MK

型号简介
Sumitomo的SEDI的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。该设备的目标应用是低电流和宽带高电压应用。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    F658-E030MK
名称                    GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地                    日本
封装                    DFN
 

型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：46.5dBm（典型值）@Psat
高效率：55%（典型值）@Psat
线性增益：16.0dB（典型值）@f=2.7GHz
经验证的可靠性


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