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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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F658-H130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶体管
型号： F658-H130M1H

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 F658-H130M1H
  • 名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 DFN

--- 产品详情 ---

F658-H130M1H

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT F658-H130M1H提供高功率、高效率、易于匹配直流至3GHz高功率的更大一致性50V操作的应用程序。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    F658-H130M1H
名称                    GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地                    日本
封装                    DFN
 

型号参数
用于直流至3GHz的高功率GaN HEMT
高功率：150W@3GHz
高效率：57%@3GHz
CW可操作
易于匹配：输入预匹配3GHz
小型无法兰封装


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