型号简介
Sumitomo的GaN HEMT提供高效率、易于匹配，50V高功率放大器具有更高的一致性和更宽的带宽操作，并为您提供更高的增益。此新产品非常适合3.4至4.2 GHz LTE设计要求，因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。该器件的目标应用是微电池的驱动阶段和最终阶段基站收发信台。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SG38K30S-D
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地 日本
封装 DFN
型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：Psat=45.5dBm（典型值）
高效：DE=60%（典型值）@Psat
高增益：Gp=15.8dB（典型值）@f=3.8GHz
经验证的可靠性
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