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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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F657-4450-8F C波段内部匹配FET

GaAs
型号： F657-4450-8F

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 F657-4450-8F
  • 名称 IMFET GaAs 砷化镓IMFET
  • 产地 日本
  • 封装 lB

--- 产品详情 ---

F657-4450-8F

型号简介
Sumitomo的FLM4450-8F是一种功率GaAs FET，内部匹配标准通信频带，以在50欧姆系统。SEDI严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    F657-4450-8F
名称                    IMFET GaAs 砷化镓IMFET
产地                    日本
封装                    lB
 

型号参数
高输出功率：P1dB39.5dBm（型号）
高增益：G1dB E10.0dB（类型）
高PAE：高达36%（类型）
低IM3=-46dbc@po=28.5dBm
宽带：4.4至5.0GHz
阻抗匹配锌/盐，50欧姆
密封包装


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