--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SC70-3封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
AO7400 (VBK1270)参数说明:极性:N沟道;额定电压:20V;最大电流:4A;导通电阻:45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ @ 2.5V;门源电压范围:12Vgs (±V)阈值电压:1~3V;封装:SC70-3
应用简介:AO7400 (VBK1270) 是一款N沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。
其中等额定电流和低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。
常用于电源开关、电机驱动、LED驱动等。
优势:中等电流能力:适用于多种中等功率应用。
低导通电阻:降低功耗,提高效率。
可调阈值电压:可以根据需求调整阈值电压,实现不同的开关控制。
适用模块:AO7400 (VBK1270) 适用于中等功率电流控制模块,如电源开关模块、电机驱动模块等。
为你推荐
-
AP18T10AGK-HF-VB一款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:41
产品型号:AP18T10AGK-HF-VB 封装:SOT223 沟道:Single-N -
AP18T10AGI-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:38
产品型号:AP18T10AGI-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP18P10GS-VB一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:31
产品型号:AP18P10GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-P -
AP18P10GM-HF-VB一款Single-P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:30
产品型号:AP18P10GM-HF-VB 封装:SOP8 沟道:Single-P -
AP18P10GJ-HF-VB一款Single-P沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:28
产品型号:AP18P10GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-P -
AP18P10GI-VB一款Single-P沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:24
产品型号:AP18P10GI-VB一款Single-P沟道TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-P -
AP18P10AGJ-HF-VB一款Single-P沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:07
产品型号:AP18P10AGJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-P -
AP18P10AGH-HF-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 09:58
产品型号:AP18P10AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-P -
AP18N50W-VB一款Single-N沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 17:37
产品型号:AP18N50W-VB 封装:TO3P 沟道:Single-N -
AP18N20GS-HF-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 17:35
产品型号:AP18N20GS-HF-VB 封装:TO263 沟道:Single-N