IPD640N06LG (VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252。
应用简介：IPD640N06LG适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。
其高电流承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。
适用领域与模块：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。
高电流承载能力满足大电流需求。
--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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