--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
IRLR7843TRPBF (VBE1303)参数说明:极性:N沟道;额定电压:30V;最大电流:100A;导通电阻:2mΩ @ 10V, 3mΩ @ 4.5V;门源电压范围:20Vgs (±V)阈值电压:1.9V;封装:TO252
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B3/51/wKgaomVyyc2AckxiAAH473FUaN4307.png)
应用简介:IRLR7843TRPBF (VBE1303) 是一款N沟道MOSFET,适用于高电流和高功率应用。
其高额定电流和低导通电阻适合高功率开关控制。
常用于电源开关、电机驱动、工业自动化等。
优势:高电流能力:适用于高电流和高功率应用。
低导通电阻:降低功耗,提高效率。
适用封装:TO252封装适合中等功率应用。
适用模块:IRLR7843TRPBF (VBE1303) 适用于高功率开关控制模块,如电源管理模块、电机驱动模块、工业自动化控制模块等。
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