NT2955G (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。
应用简介：NT2955G适用于功率开关和逆变器等高功率应用的P沟道MOSFET。
其能够处理较大的电流和电压，适用于高功率需求的场景。
优势与适用领域：具有较大的电流和电压承载能力，适用于高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。
--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
80N10L-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:08
产品型号：80N10L-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
80N10L-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:07
产品型号：80N10L-VB TO220 封装：TO220 沟道：Single-N -
80N10F7-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:05
产品型号：80N10F7-VB TO252 封装：TO252 沟道：Single-N -
80N06-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:04
产品型号：80N06-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
80N06-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 14:50
产品型号：80N06-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-N -
80N06-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 14:49
产品型号：80N06-VB TO220 封装：TO220 沟道：Single-N -
80N06LG-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 14:48
产品型号：80N06LG-VB TO262 封装：TO262 沟道：Single-N -
80N055DG-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 14:45
产品型号：80N055DG-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-N -
80N055DG-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 14:43
产品型号：80N055DG-VB TO262 封装：TO262 沟道：Single-N -
80N055DG-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 14:41
产品型号：80N055DG-VB TO220 封装：TO220 沟道：Single-N