SI2302CDS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。
应用简介：SI2302CDS-T1-GE3适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。
其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。
优势与适用领域：具有低导通电阻和可调的阈值电压，适用于要求低电压降和灵活性的领域，如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。
--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
80N4F6-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:34
产品型号：80N4F6-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
80N40LG-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:33
产品型号：80N40LG-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-N -
80N40LG-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:31
产品型号：80N40LG-VB TO262 封装：TO262 沟道：Single-N -
80N40DG-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:30
产品型号：80N40DG-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-N -
80N40DG-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:29
产品型号：80N40DG-VB TO262 封装：TO262 沟道：Single-N -
80N3LLH6-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:22
产品型号：80N3LLH6-VB 封装：DFN8(5X6) 沟道：Single-N -
80N30W-VB一款Single-N沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:13
产品型号：80N30W-VB 封装：TO3P 沟道：Single-N -
80N20M5-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:12
产品型号：80N20M5-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-N -
80N20M5-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:11
产品型号：80N20M5-VB TO220 封装：TO220 沟道：Single-N -
80N10-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:09
产品型号：80N10-VB 封装：TO220 沟道：Single-N