Si2342DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。
应用简介：Si2342DS-T1-GE3是一款用于中低电压应用的N沟道MOSFET，适用于电源开关、LED驱动和电池管理等领域模块。
--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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