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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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FSU02LG 通用 GaAs FET

FET GaAs
型号： FSU02LG

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 FSU02LG
  • 名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
  • 产地 日本
  • 封装 LG*

--- 产品详情 ---

FSU02LG 

型号简介
Sumitomo的FSU02LG是一种高性能、低噪声的GaAs FET，设计用于PCS/PCN应用程序作为2GHz频带的驱动器。Eudyna严格的质量保证计划确保最高可靠性和一致的性能。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    FSU02LG
名称                    High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地                    日本
封装                    LG*


型号参数
高输出功率：P1dB=23.0dBm（典型值）@2GHz
高相关增益：G1dB=17.0dB（典型值）@2GHz
低噪声系数：NF=1.5dB（典型值）@f=2GHz
低偏置条件：VDS=3V，20mA
经济高效的密封微带封装
提供磁带和卷轴


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