--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型号 SGC5259-300B-R
- 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
- 产地 日本
- 封装 IK
--- 产品详情 ---
型号简介
Sumitomo的SGC5259-300B-R是一种高功率GaN HEMT与C波段雷达波段匹配,以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGC5259-300B-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 IK
型号参数
高输出功率:Psat=55.8dBm(典型值)
高增益:Gp=13.8dB(典型值)
高排水效率:DE=51%(典型值)
宽带:5.2至5.9GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆
密封包装
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