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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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SGC5259-300B-R C波段 部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT
型号： SGC5259-300B-R

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 SGC5259-300B-R
  • 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 IK

--- 产品详情 ---

SGC5259-300B-R

型号简介
Sumitomo的SGC5259-300B-R是一种高功率GaN HEMT与C波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    SGC5259-300B-R
名称                    IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地                    日本
封装                    IK


型号参数
高输出功率：Psat=55.8dBm（典型值）
高增益：Gp=13.8dB（典型值）
高排水效率：DE=51%（典型值）
宽带：5.2至5.9GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆
密封包装


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