--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型号 SGN2731-500L-R
- 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
- 产地 日本
- 封装 IV
--- 产品详情 ---
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型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500L-R为s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性,具有50V操作和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件,占空比高达10%。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGN2731-500L-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 IV
型号参数
高功率:550W(典型)@引脚=31.6W(45dBm)
高效率:57%(典型值)@引脚=31.6W(45dBm)
宽带:2.7至3.1GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
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