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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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SGN3035-150L-R 雷达用高压大功率GaN HEMT

GaN HEMT
型号： SGN3035-150L-R

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 SGN3035-150L-R
  • 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 IV

--- 产品详情 ---

SGN3035-150L-R 

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN3035-150L-R为50V工作的s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低热阻允许使用高达5微秒脉冲宽度的长脉冲，占空比为10%。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    SGN3035-150L-R
名称                    IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地                    日本
封装                    IV


型号参数
高功率：190W（典型）@引脚=8W（39dBm）
高效率：62%（典型值）@引脚=8W（39dBm）
宽带：3.0至3.5 GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω


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