--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型号 SGK5872-20C
- 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
- 产地 日本
- 封装 IBK
--- 产品详情 ---
型号简介
Sumitomo的ES/SG5872-20C是一种高功率GaN HEMT与标准通信频带匹配,以提供最佳功率和线性。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGK5872-20C
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 IBK
型号参数
高输出功率:P5dB=43.0dBm(典型值)
高增益:GL=14.0至15.0dB(典型值)
高功率附加效率:PAE=41%(典型值)
宽带:频率=5.85至7.2GHz
内部匹配
SMT应用的塑料封装
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