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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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SGK5872-20C C波段 内部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT
型号： SGK5872-20C

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 SGK5872-20C
  • 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 IBK

--- 产品详情 ---

SGK5872-20C

型号简介
Sumitomo的ES/SG5872-20C是一种高功率GaN HEMT与标准通信频带匹配，以提供最佳功率和线性。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    SGK5872-20C
名称                    IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地                    日本
封装                    IBK


型号参数
高输出功率：P5dB=43.0dBm（典型值）
高增益：GL=14.0至15.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=41%（典型值）
宽带：频率=5.85至7.2GHz
内部匹配
SMT应用的塑料封装


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SGK5872-20C

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