SGC7172-120A C波段内部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT

型号： SGC7172-120A

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 SGC7172-120A
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地日本
封装 IK

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的SGC7172-120A是一种高功率GaN HEMT匹配C波段应用，提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGC7172-120A
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地日本
封装 IK

型号参数
高输出功率：Psat=51.3dBm（典型值）
高增益：Gp=12.3dB（典型值）
高效：PAE=43%（典型值）
阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆
密封包装

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