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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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FHX35LG/002 超低噪声 HEMT

HEMT 超低噪声
型号： FHX35LG/002

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 FHX35LG/002
  • 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 SMT

--- 产品详情 ---

FHX35LG/002

型号简介
Sumitomo的FHX35LG是一种高电子迁移率晶体管（HEMT），用于2-18GHz的通用低噪声高增益放大器频率范围。该器件被封装成成本有效、低寄生、低功耗的器件，用于大容量电信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪声应用程序。Eudyna严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    FHX35LG/002 
名称                    IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地                    日本
封装                    SMT


型号参数
低噪声系数：1.2B（典型值）@f=12GHz
高相关增益：10.0dB（典型值）@f=12GHz
Lg≤0.25µm，Wg=280µm
实现高可靠性的金门金属化
经济高效的陶瓷微带（SMT）封装
可提供磁带和卷轴包装


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