--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型号 FHX35LG/002
- 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
- 产地 日本
- 封装 SMT
--- 产品详情 ---
型号简介
Sumitomo的FHX35LG是一种高电子迁移率晶体管(HEMT),用于2-18GHz的通用低噪声高增益放大器频率范围。该器件被封装成成本有效、低寄生、低功耗的器件,用于大容量电信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪声应用程序。Eudyna严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 FHX35LG/002
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 SMT
型号参数
低噪声系数:1.2B(典型值)@f=12GHz
高相关增益:10.0dB(典型值)@f=12GHz
Lg≤0.25µm,Wg=280µm
实现高可靠性的金门金属化
经济高效的陶瓷微带(SMT)封装
可提供磁带和卷轴包装
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