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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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FLM7179-6F C波段 内部匹配 FET

C波段 FET GaAs
型号： FLM7179-6F

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 FLM7179-6F
  • 名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
  • 产地 日本
  • 封装 SMT

--- 产品详情 ---

FLM7179-6F

型号简介
Sumitomo的FLM7179-6F是一种功率GaAs FET，内部匹配标准通信频带，以在50欧姆系统。SEDI严格的质量保证计划确保可靠性和一致性能。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    FLM7179-6F  
名称                    High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地                    日本
封装                    SMT


型号参数
高输出功率：P1dB b38.5dBm（型号）
高增益：G1dB B9.0dB（类型）
高PAE：hadd p34%（类型）
低IM3=-46dbc@po=27.5dBm
宽带：7.1至7.9GHz
阻抗匹配锌/盐，50欧姆
密封包装


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