SGK5867-100C C波段内部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT

型号： SGK5867-100C

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 SGK5867-100C
名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地日本
封装 SMT

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的ES/SG5867-100C是一种高功率GaN HEMT，内部匹配标准通信频带，在50Ω系统中提供最佳功率和增益。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGK5867-100C
名称 High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管
产地日本
封装 SMT

型号参数
高输出功率：P5dB=50.5dBm（典型）
高增益；GL=14.5dB（典型值）
PAE高；ηadd=45%（典型值）
宽带；5.85至6.75GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
密封包装

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