NSI6602VC-DLAR LGA13 隔离半桥驱动

深圳市港禾科技有限公司

产品描述

NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力，且功耗更低，同时提高了输入侧的耐压能力。可以驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个通道输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力。100kV/us的最小共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大供电电源电压为28V,而输入侧则接受3V至18V的电源供电电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。同时有多个欠压点可供选择。最低欠压点支持4V, 可用于驱动GaN 功率器件。它还有多个封装可供选择，最小封装是4*4mm LGA封装，可用于对体积要求高的场景。NSI6602V在5*5mm LGA13封装中按照UL1577提供2500Vrms隔离, 在SOP16封装中提供3000Vrms隔离, 在SOW16和SOW14封装中提供5700Vrms隔离。

产品特性

•  隔离式双通道驱动器

•  输入侧电源电压: 3V至18V

•  驱动器侧电源电压: 最大耐压30V，具有UVLO功能

•  峰值6A/8A拉灌电流能力

•  高CMTI:150kV/us

•  25ns典型传播延迟

•  5ns最大延迟匹配

•  6ns最大脉冲宽度失真

•  可编程死区时间

•  接受最小输入脉冲宽度15ns

•  工作温度: -40℃~125℃

•  封装形式: LGA13(4*4mm), LGA13(5*5mm), SOW14, SOW16, SOP16

•  AEC-Q100认证

安全认证

•  UL1577认证:

•  LGA13：1分钟 2.5kVrms

    SOIC14(300mil)：1分钟 5kVrms

    SOIC16(300mil)：1分钟 5kVrms

    SOIC16(150mil)：1分钟 3kVrms

•  CQC认证：符合GB4943.1-2011

•  CSA认证：组件符合5A

•  VDE认证：DIN V VDE V 0884-11：2017-1

产品电路示意图：

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