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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPD30N06S2L-13-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析

型号: IPD30N06S2L-13-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO252封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB,丝印为VBE1638。

其详细参数说明和应用简介如下:

- 电压:60V
- 电流:45A
- 开启电阻:24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围:±20V
- 阈值电压:1.8V
- 封装形式:TO252

该N沟道晶体管常用于功率开关和电流控制应用。由于其高电流和低导通电阻的特点,适用于以下领域模块:

1. 电源模块:该晶体管可作为电源开关,用于控制高频变换器的输入和输出。
2. 电机驱动模块:适用于直流电机和步进电机驱动电路,提供可靠的开关动作。
3. 照明模块:可用于LED灯驱动电路中,实现高效能的开关控制。
4. 电池管理模块:可用于电池保护电路中,提供过流和过压保护。
5. 车辆电子模块:在汽车电子领域,可用于电动车辆控制电路,提供高效的能量转换。

总之,IPD30N06S2L-13-VB晶体管适用于多个领域的模块,包括电源、电机驱动、照明、电池管理和车辆电子等领域。
 

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