--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: NTD25P03LG-VB
丝印: VBE2338
品牌: VBsemi
参数:
- P沟道
- -30V电压
- -26A电流
- RDS(ON):33mΩ@10V, 46mΩ@4.5V
- 20Vgs(±V)阈值电压
- -1.3Vth(V)阈值电压
- TO252封装
该型号的详细参数说明:
- 类型: N沟道P-MOSFET
- 最大漏源电压(VDS):-30V
- 最大漏源电流(ID):-26A
- 导通电阻(RDS(ON)):33mΩ(在10V下),46mΩ(在4.5V下)
- 门源阈值电压(Vgs(th)):-1.3V
- 最大门源电压(Vgs):±20V
- 封装类型:TO252
该产品适用于以下领域模块:
- 电源管理系统
- 自动控制系统
- 电动汽车系统
- 工业自动化控制系统
- LED照明系统等
这些沟道P-MOSFET可以用于电源开关、电机驱动、电源逆变器、充放电电路等应用。它们在需要高效能和低电阻的场合提供了可靠的功率开关功能。通过改变门源电压控制电阻,它们可以实现高效的电源管理和电路控
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