型号：2N7002ET1G-VB
丝印：VB162K
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 最大耐压：60V
- 最大持续电流：0.3A
- 开通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs
- 阈值电压（Vth）：1.6V
- 封装类型：SOT23
应用简介：
2N7002ET1G-VB是一款小功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于低功率电子应用。以下是它的一些主要应用领域：
1. 信号开关：这款MOSFET可以用于信号开关电路，例如在通信设备、音频放大器和控制电路中，用于控制和管理信号通路。
2. 电源开关：在低功率电源管理模块中，2N7002ET1G-VB可以用于电源开关，用于控制电路的通断状态，以提供电源管理功能。
3. 电路保护：它还可用于电路保护，例如在过电流保护和过温度保护电路中，用于确保电路的安全性和稳定性。
4. 逻辑电平转换：由于其低阈值电压，这款MOSFET可以用于逻辑电平转换，将不同电平的信号转换为兼容的电平，例如在微控制器和数字电路中。
总之，2N7002ET1G-VB是一款适用于低功率电子应用的N沟道MOSFET，特别适用于信号开关、电源开关、电路保护和逻辑电平转换等领域。它的低电流和低电压特性使其成为小型电子设备中的常见元件。
