--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT89-3封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:2SJ355-VB
丝印:VBI2338
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:P沟道
- 额定电压(Vds):-30V
- 最大持续电流(Id):-5.8A
- 导通电阻(RDS(ON)):50mΩ @ 10V
- 门源电压范围(Vgs):20V(正负)
- 阈值电压范围(Vth):-0.6~-2V
- 封装:SOT89-3
应用简介:
2SJ355-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于需要负向电压操作的电子应用。它在电流开关和电压逆变器等领域具有广泛的应用。
详细参数说明:
1. **类型**:这是一款P沟道MOSFET,意味着它在输入负向电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于需要负向电压操作的电路中。
2. **额定电压(Vds)**:它可以承受的最大漏极-源极电压为-30V。这表示它可以在负向电压条件下工作。
3. **最大持续电流(Id)**:这款MOSFET的最大电流承受能力为-5.8A。负号表示电流流向是从源到漏极。
4. **导通电阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是导通状态下的电阻,它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下,它的RDS(ON)为50mΩ,表示在导通状态下的功耗相对较低。
5. **门源电压范围(Vgs)**:MOSFET的门源电压范围为20V,这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。
6. **阈值电压范围(Vth)**:这款MOSFET的阈值电压范围为-0.6~-2V。这是启动MOSFET导通的门源电压范围。
7. **封装**:这款MOSFET采用SOT89-3封装,这是一种小型封装,适用于小型电路板和空间受限的应用。
应用领域:
2SJ355-VB这款P沟道MOSFET适用于多种需要负向电压操作的电子模块和设备,包括但不限于以下领域模块:
1. **电源开关**:可用于负向电压电源开关,如电压转换和电源控制。
2. **电压逆变器**:用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,如太阳能逆变器和电力逆变器。
3. **电池保护**:可用于电池保护电路,以确保电池不过充电或过放电。
4. **负载开关**:用于控制负载的通断,如LED照明系统、电动工具和电子设备。
5. **电源管理**:在需要负向电压电源管理和电流控制的应用中使用,以确保高效的电源供应。
总之,这款P沟道MOSFET适用于需要负向电压操作的电子模块和设备,提供电源控制和电流管理的功能,特别是在需要负向电压操作的应用中。
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