--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:SSM3J328R-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大连续漏极电流:-5.6A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ @ 10V,56mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压(Vgs):20V(±V)
- 開啟電壓(门极阈值电压):-1V
- 封装:SOT23
应用简介:
SSM3J328R-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有低漏极-源极电阻和适中的电流承受能力。这使其在多种电子应用领域中非常有用。
应用领域:
1. **电源模块**:由于SSM3J328R-VB具有低漏极-源极电阻,它适用于电源管理模块、电池保护电路和开关电源,有助于提高电能转换效率。
2. **信号开关**:这种MOSFET器件可用于各种信号开关应用,例如低电压信号切换和电路保护。
3. **电池管理**:在便携式设备和无线通信设备中,SSM3J328R-VB可用于电池管理系统,确保电池的安全充放电和保护。
4. **功率管理**:在功率管理电路中,这种MOSFET可以用于电源开关和功率分配。
总之,SSM3J328R-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要中等电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、信号开关、电池管理、功率管理等模块。
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