--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO220封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:IPP052NE7N3 G-VB
丝印:VBM1808
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:80V
- 最大连续电流:100A
- 静态开启电阻(RDS(ON)):7mΩ @ 10V, 9mΩ @ 4.5V
- 门源极电压(Vgs):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):2.7V
- 封装类型:TO220
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B7/4E/wKgZomV7q7KAHy3HAAP-CAwe6Vc508.png)
应用简介:
IPP052NE7N3 G-VB 是一款高电压高电流N沟道功率MOSFET,适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块:
1. **电源开关模块**:该MOSFET可用于高电压高电流电源开关模块,以实现高效电源的开关和调节。它适用于工业电源系统和高电流电源应用。
2. **电机控制模块**:IPP052NE7N3 G-VB 可用于高电压高电流电机控制模块,如电机驱动、高电压步进电机控制和高电压无刷直流电机驱动。
3. **电池保护模块**:在高电压电池供电系统中,此MOSFET可用于电池保护电路,以防止过放电和过充电。其高电流和电压特性使其适用于高电压电池系统。
4. **高压DC-DC变换器**:在需要高电压转换的DC-DC变换器中,IPP052NE7N3 G-VB 可用作开关器件,以帮助实现高电压电能转换。
5. **电力放大模块**:该MOSFET可以用于音频放大器和电力放大器等高电流高电压模块,以提供高性能的电力放大。
这些是一些可能用到 IPP052NE7N3 G-VB N沟道高电压高电流MOSFET 的应用领域模块的示例。该器件的参数使其适用于需要处理高电压和高电流的应用,特别是在需要低导通电阻的场合。在实际应用中,请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件,以确保最佳性能和可靠性。
为你推荐
-
RQJ0549FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:56
产品型号:RQJ0549FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0548FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:55
产品型号:RQJ0548FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0547FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:53
产品型号:RQJ0547FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0546FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:52
产品型号:RQJ0546FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0545FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:51
产品型号:RQJ0545FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0544FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:49
产品型号:RQJ0544FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0543FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:48
产品型号:RQJ0543FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0542FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:46
产品型号:RQJ0542FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0541FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:45
产品型号:RQJ0541FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0540FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 12:01
产品型号:RQJ0540FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel