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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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AO8810-VB一款2个N沟道TSSOP8封装MOSFET应用分析

型号: AO8810-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TSSOP8封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号:AO8810-VB
丝印:VBC6N2014
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:2个N沟道
- 额定电压:20V
- 最大连续电流:7.6A
- 静态开启电阻(RDS(ON)):13mΩ @ 4.5V, 20mΩ @ 2.5V
- 门源极电压(Vgs):12V(±V)
- 阈值电压(Vth):0.6V
- 封装类型:TSSOP8

应用简介:
AO8810-VB 是一款2个N沟道低电压低导通电阻MOSFET集成在同一封装中,适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块:

1. **电源开关模块**:该MOSFET可用于低电压电源开关模块,以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备和低电压电源系统。

2. **电池管理模块**:在便携式设备和电池供电系统中,此MOSFET可用于电池管理系统,包括电池保护和电池充放电控制。

3. **低电压DC-DC变换器**:AO8810-VB 可用作低电压DC-DC变换器的开关器件,用于电压升降和电能转换。

4. **电机控制模块**:在低电压电机控制模块中,这款MOSFET可以用于电机驱动、步进电机控制和无刷直流电机驱动。

5. **便携式电子模块**:在需要低电压电源管理和功率开关的应用中,如便携式医疗设备、便携式电子设备和低电压传感器节点,这款MOSFET可以用于功率管理和电源控制。

这些是一些可能用到 AO8810-VB 2个N沟道低电压低导通电阻MOSFET 的应用领域模块的示例。该器件的参数使其适用于需要低电压和低导通电阻的低电压应用,特别是在需要高性能功率开关的场合。在实际应用中,请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件,以确保最佳性能和可靠性。

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