--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:APM7313KC-TRL-VB
丝印:VBA3328
品牌:VBsemi
参数说明:
- 极性:2个N沟道
- 额定电压:30V
- 最大连续漏极电流:6.8A(上管),6.0A(下管)
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):22mΩ @ 10V,26mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压(Vgs):20V(±V)
- 開啟電壓(门极阈值电压):1.73V
- 封装:SOP8
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B2/DD/wKgaomVwIuKAT3jeAAH3WmldaSo766.png)
应用简介:
APM7313KC-TRL-VB是一对N沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,常用于电源开关、电流控制和功率放大器等应用中。
应用领域:
1. **电源开关**:APM7313KC-TRL-VB的N沟道MOSFET适用于开关电源、DC-DC转换器和电源模块,可提供高效率的电源管理。
2. **电池管理**:在电池充放电管理系统中,这对MOSFET可用于电池保护、电池均衡和电池组管理,特别适用于便携式设备和电动汽车。
3. **电流控制**:APM7313KC-TRL-VB可用于电流控制回路,如LED驱动、电机控制和电流限制应用。
4. **功率放大器**:这对MOSFET也可用于功率放大器的输出级,用于音频放大、射频应用和放大电路。
5. **电源逆变器**:在需要高效率的电源逆变器中,这对MOSFET可用于电源开关和逆变器控制。
总之,APM7313KC-TRL-VB是一对N沟道MOSFET,适用于多种电源管理、电池管理、电流控制和功率放大应用。它可以用于电源开关、电池保护、LED驱动、音频放大器和电源逆变器等领域模块。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N