--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOT23-6封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
根据提供的型号和参数,以下是对该MOSFET型号 SI3456DDV-T1-GE3-VB 的详细参数和应用简介:
**型号:** SI3456DDV-T1-GE3-VB
**丝印:** VB7322
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:30V
- 最大电流:6A
- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 门源电压阈值 (Vth):1.2V
- 标准门源电压 (±V):20V
- 封装:SOT23-6
**产品应用简介:**
SI3456DDV-T1-GE3-VB 是一款 N沟道MOSFET,具有较低的漏极-源极电阻 (RDS(ON)),高额定电流和适中的电压额定值,适合用于各种电子设备和模块的功率开关和放大器应用。这款MOSFET的性能参数使其适用于多种领域。
**产品应用领域:**
1. **电源管理模块:** 该型号的MOSFET可用于电源管理模块,如电源开关,以便有效地控制电流,降低功耗和提高效率。
2. **驱动电路:** 可以用于各种驱动电路,例如电机驱动、照明驱动等,以改善电路的性能和响应速度。
3. **电池充电和放电控制:** 在电池管理模块中,可以使用此MOSFET来控制电池的充电和放电,以确保电池的安全和性能。
4. **LED驱动:** 用于LED照明驱动,帮助调节亮度和电流,以实现高效的照明解决方案。
5. **通信设备:** 用于各种通信设备中,如无线路由器、基站和网络设备,以进行电源管理和信号处理。
总之,SI3456DDV-T1-GE3-VB MOSFET 在多个领域中都有广泛的应用,用于功率控制、电流开关和信号放大等用途。由于其性能参数,它在电子模块和设备中起到关键作用。
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