--- 产品参数 ---
- 工作温度 -55-100
- 电压 750
- 电流 0.3
--- 产品详情 ---
Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-7L 封装,具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性,非常适合开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
UJ4SC075011B7S 主要特征
导通电阻 (RDS(on)):11 mohm(典型值)
最高工作温度:175 °C
出色的反向恢复:Qrr = 274 nC
低体二极管 VFSD:1.1 V
低栅极电荷:QG = 75 nC
阈值电压 VG(th):4.5 V(典型值)允许 0 至 15 V 驱动
VDS 最大值(V)750RDS(on) Typ @ 25C (mohm)11内径最大值(A)104一代第 4 代Tj 最大值(°C)175汽车资质不包装类型D2PAK-7L
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