--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:STN442D-VB
丝印:VBE1638
品牌:VBsemi
参数说明:
- **N沟道:** 该器件是一种N沟道MOSFET,适用于电流在N沟道中流动的应用。
- **工作电压(VDS):** 60V,表示MOSFET的耐压上限,可用于需要较高电压的电路。
- **持续电流(ID):** 45A,表示MOSFET可以承受的最大电流。
- **导通电阻(RDS(ON)):** 24mΩ @ 10V,28mΩ @ 4.5V,20Vgs(±V),表示MOSFET在导通状态时的电阻,这两个值分别对应不同的栅极电压。
- **阈值电压(Vth):** 1.8V,表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。
- **封装:** TO252,这是MOSFET的封装类型。
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/DA/wKgZomUKTASAcGbVAAETLKAbAeM681.png)
应用简介:
这种型号的N沟道MOSFET通常用于各种领域的功率电子应用,包括但不限于:
1. **电源模块:** 可以用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器,以提高能源效率。
2. **电机驱动器:** 用于电机控制、电动车辆和工业自动化中,以实现电机的高效控制。
3. **照明应用:** 可以用于LED驱动电路、照明系统和调光应用。
4. **电池管理:** 用于电池保护电路、充放电控制和电池管理系统。
5. **电子负载:** 用于模拟或数字电子负载,测试电源供应器的性能。
6. **太阳能逆变器:** 用于太阳能发电系统中,将太阳能电池板的直流电转换为交流电。
这种型号的MOSFET在高电压和高电流应用中具有优异的性能,可用于多种功率电子领域,以提高效率和性能。
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