--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO251封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:AP9987GJ-VB
丝印:VBFB1101M
品牌:VBsemi
参数说明:
- N沟道
- 额定电压:100V
- 最大电流:15A
- RDS(ON):115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V
- 门源电压(Vgs)范围:±20V
- 阈值电压(Vth):1.41V
- 封装:TO251
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B6/9C/wKgZomV5djiAHnBUAAGgTD4xdOU441.png)
应用简介:
AP9987GJ-VB是一款N沟道MOSFET,适用于中高功率应用。它具有适中的电压额定值和高电流承受能力,适合多种中高功率电子设备。
应用领域:
1. **电源管理模块**:AP9987GJ-VB可用于电源管理模块,以实现电源开关和电池保护,特别适用于中高功率要求的电源管理。
2. **电机控制**:在电机控制应用中,如大型电机、电动汽车和工业应用,它可用于电机驱动电路,提供高电流和电压控制。
3. **电源逆变器**:在太阳能逆变器和高功率电力系统中,它可用于电能逆变电路,将直流电转换为交流电。
4. **开关电源**:可用于高功率开关电源模块,提供高效率的电源管理。
总之,AP9987GJ-VB适用于中高功率应用,包括电源管理、电机
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