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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SQD19P06-60L-GE3-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析

型号: SQD19P06-60L-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 P沟道
  • 封装 TO252封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号:SQD19P06-60L-GE3-VB
丝印:VBE2658
品牌:VBsemi
参数:
- P沟道
- 最大耐压:-60V
- 最大电流:-22A
- 开通态电阻:48mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压:-1.5V
封装:TO252

该型号的SQD19P06-60L-GE3-VB是一种P沟道MOSFET晶体管,适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介:

**详细参数说明:**
- 最大耐压:-60V,表示它可以承受不超过60伏的电压。
- 最大电流:-22A,该MOSFET可以承受最高22安培的电流。
- 开通态电阻:在不同电压下,其导通状态的电阻分别为48毫欧姆(@ 10V)和57毫欧姆(@ 4.5V)。这表明它在导通状态下有相对较低的电阻。
- 阈值电压:-1.5V,表示MOSFET在此电压下开始导通。

**应用简介:**
这种MOSFET(SQD19P06-60L-GE3-VB)适用于多个领域的电路模块,主要用于电流控制、电压开关和功率放大。具体应用包括但不限于以下领域:
1. **电源管理模块:** 用于开关电源、稳压电路和电源开关,有助于实现高效的能源管理。
2. **电机控制:** 作为电机驱动器或电机控制模块的一部分,用于电流控制和电压开关。
3. **电源逆变器:** 在逆变器中,它可以用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等。
4. **电源开关和保护:** 用于电源开关、短路保护和过流保护电路。

总之,SQD19P06-60L-GE3-VB 是一种多功能的P沟道MOSFET,适用于多种电子应用领域,主要用于电流控制和电源管理。

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