--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:IRF7306TRPBF-VB
丝印:VBA4338
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:2个P沟道
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-7A
- 开通电阻(RDS(ON)):35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V
- 门极-源极阈值电压范围(Vth):-1.5V
- 门极驱动电压范围:±20V
- 封装类型:SOP8
应用简介:
IRF7306TRPBF-VB是一款双P沟道MOSFET,适用于各种电子应用,特别是需要控制负电压的电路。以下是一些可能的应用领域和模块,其中这种MOSFET可能被广泛使用:
1. **电源开关**:这款MOSFET可用于电源开关电路,如直流-直流(DC-DC)转换器、开关稳压器和电源逆变器,以实现高效的能源转换和电压调整。
2. **电池保护**:IRF7306TRPBF-VB可以用于电池管理系统中的电池保护电路,确保电池在充电和放电过程中不受到过度损害。
3. **电动驱动**:在电机控制应用中,这款MOSFET可用于电动机驱动电路,控制电机的启停和方向。
4. **音频放大器**:它还可用于音频放大器电路,以实现音频信号的放大和放大器保护。
5. **逆变器**:在太阳能逆变器和电源逆变器应用中,IRF7306TRPBF-VB可以用于实现电能从直流到交流的转换。
总的来说,IRF7306TRPBF-VB是一款功能强大的双P沟道MOSFET,适用于多种领域,包括电源管理、电池保护、电动驱动、音频放大器和逆变器。它的双P沟道特性使其适合负电压控制,扩展了其应用领域。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N