--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:SI4850DY-T1-E3-VB
丝印:VBA1630
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 最大耐压:60V
- 最大电流:7.6A
- 静态导通电阻:27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压:1.54V
- 封装:SOP8
**详细参数说明:**
SI4850DY-T1-E3-VB是一款N沟道MOSFET,最大耐压为60V,最大电流为7.6A。在不同电压下,其静态导通电阻表现如下:在10V下为27mΩ,在4.5V下为32mΩ,驱动电压范围为±20V。阈值电压为1.54V。该器件采用SOP8封装。
**应用简介:**
SI4850DY-T1-E3-VB适用于多种领域的模块,包括但不限于:
1. **电源管理模块**:由于其较低的导通电阻和高耐压特性,它可用于电源开关,有效管理和控制电流,降低功耗。
2. **驱动电路**:作为N沟道MOSFET,可用于驱动电路,包括电机驱动、照明控制和电子开关。
3. **电池管理**:在充电和放电管理电路中,它可以用于电池保护和电流控制。
4. **通信设备**:在通信设备的电源开关和电源逆变器中,该器件可以实现高效的电能转换。
总之,SI4850DY-T1-E3-VB适用于需要高性能N沟道MOSFET的各种电子领域,从电源管理到电子开关和通信设备。
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