型号：60T03H-VB
丝印：VBE1307
品牌：VBsemi
参数说明：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：30V
- 最大电流：60A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V, 11mΩ@4.5V
- 门源极阈值电压（Vth）：1.6V
- 门源极电压（±Vgs）：20V
- 封装类型：TO252
应用简介：
60T03H-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有高电流承受能力和低漏极-源极电阻。这些特性使其在各种电子领域的模块中有广泛的应用。
应用领域：
1. 电源模块：60T03H-VB可以用于电源开关模块，以提供高效的电能转换和电压调节，适用于各种电子设备和电源系统。
2. 电机驱动：在电机控制模块中，它可以用于电机驱动电路，提供高电流能力和低损耗，适用于电动汽车、机器人和工业自动化。
3. 电池保护：60T03H-VB可用于电池保护电路，确保充电和放电过程中的高效性和安全性，适用于便携式电子设备和电池管理系统。
4. 照明应用：它也可以用于LED照明驱动电路，以提供高效的亮度控制和能源管理，适用于室内和室外照明系统。
总之，60T03H-VB是一种高性能MOSFET，适用于多个领域的电子模块，提供高效能源管理和电流控制。
