--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:SPD09N05-VB
丝印:VBE1695
品牌:VBsemi
参数说明:
- 类型:N沟道
- 额定电压:60V
- 最大电流:18A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):2V
- 封装类型:TO252
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B6/FF/wKgZomV6aOGAULMZAAH6l-g7qz4732.png)
应用简介:
SPD09N05-VB是一款N沟道功率MOSFET,适用于多种领域模块,具有以下应用潜力:
1. 电源管理模块:这款MOSFET的额定电压和导通电阻使其适用于电源开关、电源调节和稳压模块,提供高效的电源管理。
2. 电机控制:在电机驱动和控制应用中,SPD09N05-VB可用作电流控制开关,有助于实现电机的高效控制。
3. 电池保护:其低阈值电压使其成为电池保护模块的理想选择,确保电池在充电和放电过程中得到安全保护。
4. 电源逆变器:在太阳能逆变器和电源逆变器中,SPD09N05-VB可用于开关电源,确保电能的高效转换和分配。
总之,SPD09N05-VB适用于多个领域,包括电源管理、电机控制、电池保护和电源逆变器等模块。其卓越的性能参数使其成为多种应用中的理想选择。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N