--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:RSR025P03TL-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
参数:
- P沟道
- 最大耐压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 静态导通电阻:47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压:-1V
- 封装:SOT23
**详细参数说明:**
RSR025P03TL-VB是一款P沟道MOSFET,最大耐压为-30V,最大电流为-5.6A。其静态导通电阻在不同电压下表现如下:在10V下为47mΩ,在4.5V下为56mΩ,驱动电压范围为±20V。阈值电压为-1V。该器件采用SOT23封装,适合在有限空间内使用。

**应用简介:**
RSR025P03TL-VB适用于多种领域的模块,包括但不限于:
1. **电源管理模块**:由于其低导通电阻和适中的耐压特性,它可用于电源开关、电流控制和电源管理模块,有助于提高电能转换效率。
2. **电池充放电保护**:在电池管理系统中,它可以用于电池充放电保护和电流控制,确保电池的安全性和性能。
3. **开关电源**:适用于小型开关电源、手机充电器、便携式设备充电器等。
4. **电机驱动**:可用于小型电机控制和驱动模块,如小型风扇、电动工具等。
总之,RSR025P03TL-VB适用于需要低电压驱动和适中电流能力的P沟道MOSFET的多种领域,包括电源管理、电池管理、开关电源和电机驱动等领域。其性能参数使其成为许多电子模块的理想选择。
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